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變溫霍爾效應實驗儀

更新時間：2024-05-08

產(chǎn)品型號：LK-HT-648

廠家性質(zhì)：經(jīng)銷商

訪問次數(shù)：474

簡要描述：

霍爾效應的測量是開展半導體研究的重要方法。本機利用計算機的數(shù)據(jù)采集和處理在80K-400K溫度范圍內(nèi)對霍爾系數(shù)和電導率的聯(lián)合測量，進行半導體導電機制及散射機制的研究，并可確定半導體的一些基本參數(shù)，如導電類型、載流子濃度、遷移率、禁帶寬度以及雜質(zhì)電離能等。

霍爾效應的測量是開展半導體研究的重要方法。本機利用計算機的數(shù)據(jù)采集和處理在80K-400K溫度范圍內(nèi)對霍爾系數(shù)和電導率的聯(lián)合測量，進行半導體導電機制及散射機制的研究，并可確定半導體的一些基本參數(shù)，如導電類型、載流子濃度、遷移率、禁帶寬度以及雜質(zhì)電離能等。

主要技術(shù)指標

1．電磁鐵   0-300mT連續(xù)可調(diào)

2. 勵磁電源0-5A連續(xù)可調(diào)  可自動換向穩(wěn)定性﹤±0.1%

3. 數(shù)字特斯拉計0-2000mT 三位半數(shù)字顯示   分辨率0.001

4. 恒流源輸出1mA 穩(wěn)定性±0.1%

5. 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)霍爾電壓測量最小分辨率1uV

6. 溫度變化測量范圍    80-400K

7. 整套儀器由電磁鐵系統(tǒng)、電源控制系統(tǒng)機箱、測量系統(tǒng)主機、恒溫器四部分組成

8. 探頭樣品采用單晶鍺片


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